2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月18日(水) 09:30 〜 11:30 PB3 (第二体育館)

09:30 〜 11:30

[18a-PB3-46] AlGaN/GaN光陽極を用いた光水分解におけるNiO助触媒の影響

西中 淳一1、熊倉 一英1 (1.NTT物性研)

キーワード:人工光合成、窒化物半導体、光電気化学

持続可能な社会の実現に向けて、人工光合成が注目されている。これまで我々は、AlGaN/GaN光陽極を用いた光水分解の高効率・長寿命化の検討を行ってきた。水分解の促進や光陽極のエッチング抑制のため、表面に助触媒を担持することが不可欠であるが、NiOの特性が光電気化学反応に与える影響は明らかになっていない。そこで今回は、NiO助触媒を様々な方法によって担持した光陽極の光電気化学特性を評価した。