[18p-E101-1~7] 窒化物半導体特異構造の科学　～新機能性の発現と電子・光デバイスへの展開～

[18p-E101-4] GaN系ナノワイヤによる縦型FETに向けて

〇本久 順一¹ (1.北大)

キーワード：半導体ナノワイヤ、縦型FET、選択成長

III-V族化合物半導体ナノワイヤおよびそれを利用した多重ゲート構造の縦型トランジスタは現在のSi-CMOS技術におけるFETのチャネルの代替材料として注目されており、またGaN系ナノワイヤを用いたFETも近年優れた特性が報告されている。本講演では、GaNの材料物性的な特徴を利用したナノ構造縦型GaN系FETの利点・可能性と問題点について述べる。同時に、選択成長を用いたGaNナノワイヤの作製など、GaN系縦型ナノワイヤFET実現に向けた我々の取り組みを紹介する。