[18p-E311-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-E311-11] VO₂/TiO₂:Nb接合界面を活用したVO₂薄膜の仕事関数の評価

〇村岡 祐治¹、壽賀 友貴²、脇田 高徳¹、横谷 尚睦¹ (1.岡山大基礎研、2.岡山大院自然科学)

キーワード：VO2薄膜、仕事関数、ヘテロ接合

VO₂/TiO₂:Nb(001)のヘテロ接合を活用してVO₂薄膜の金属絶縁体転移(MIT)における仕事関数の変化を調べた。接合界面で発生する光起電力の温度依存性を測定したところ、光起電力は温度低下とともに増加し、転移温度で急激に減少する様子を示した。転移温度での振る舞いが仕事関数の変化に由来することを、接合のバンド図に基づいて説明する。