[18p-N302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[18p-N302-4] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの評価

〇遠藤 彗¹、鐘ヶ江 一孝¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、点欠陥、電子線照射

GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，意図的に点欠陥を導入し，形成される深い準位との相関を調べている．これまで，エネルギー401 keVの電子線を照射することによって，２つの電子トラップEE1(Ec-0.13 eV)およびEE2(Ec-0.9 eV)がDLTS測定によって観察されることを報告してきた．本研究では，エネルギー401 keVの電子線照射によって，n-GaN中に形成されるホールトラップを評価したので報告する．