[19a-B11-1~9] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[19a-B11-3] シリコン3重量子ドットにおけるバイポーラパウリスピンブロッケードの磁場依存性

〇(M1)松岡 竜太郎¹、太田 俊輔¹、田所 雅大¹、平岡 宗一郎¹、溝口 来成¹、小寺 哲夫¹ (1.東京工業大学)

キーワード：3重量子ドット、シリコン量子ドット、量子ビット

将来的な量子コンピュータの実現に向け，シリコン量子ドットが近年注目を集めている．また，量子ビットの拡張性のある集積化を目指す上で，離れた位置にある量子ドット間の長距離相互作用を考える際の最小単位となる直列3重量子ドット(LTQD)は重要な役割を果たすと考えられる．本研究では，シリコンLTQDの電流特性を測定し，その磁場依存性について調べた．