[19a-E301-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-E301-4] GaN縦型pnダイオード内部のキャリア寿命・EL分布

〇(M1)安田 優斗¹、宇佐美 茂佳²、田中 敦之²、天野 浩²、加藤 正史^1,2 (1.名工大、2.名大)

キーワード：半導体、窒化ガリウム、キャリア寿命

縦型pnダイオードにおいて、順方向電圧を印加した際のオン抵抗に影響するキャリアライフタイムは重要なパラメータである。本研究ではGaN基板上にGaNをエピタキシャル成長させた縦型pnダイオードのキャリア寿命分布を測定することで、ダイオード特性に影響を及ぼす因子を検討した。