[19a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-E310-2] 表面活性化接合により作製したGaN分極反転積層構造の接合強度評価

〇(M1)田辺 凌¹、横山 尚生¹、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：窒化ガリウム、表面活性化接合

GaNはc軸方向に大きな自発分極を有するため、極性を反転させ積層することで、高効率な波長変換デバイスの作製が可能となる。これまでにSi基板上GaN薄膜とサファイア基板上GaN薄膜を表面活性化接合によりチャネル導波路の試作に成功した。光集積デバイスを実現するためには、大面積の薄膜接合技術が求められ、接合強度が十分大きい必要がある。本研究では、引張試験を用いて接合強度を定量的に評価し、最適な接合条件を探索した。