[19a-E311-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19a-E311-4] HfO₂を用いたチャージトラップメモリのアナログ動作に対するPDA効果

〇吉仲 泰萌¹、大西 寿仁¹、奈良 安雄¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：アナログメモリ、チャージトラップメモリ、フラットバンド電圧

人間の脳を模し，低消費電力で高速処理を実現するコンピュータの実現にはアナログメモリの開発が不可欠である．そこで本研究ではHfO₂をチャージトラップ層に用いたチャージトラップメモリに注目し，アナログ動作の実現を目指している．PDA効果について検討したところ，飽和シフト量とパルスあたりのV_FB変化割合を用いてV_FB変化量を良く再現できることが分かり，高温PDAの方が飽和シフト量が大きくなることが分かった．