[19a-E317-1~10] 9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート

△ [19a-E317-8] InPナノワイヤサラウンディングゲートトランジスタのスイッチング特性評価

〇勝見 悠¹、蒲生 浩憲¹、本久 順一¹、冨岡 克広¹ (1.北大情報科学院及び量集センター)

キーワード：半導体ナノワイヤ、III-V族化合物半導体

III-V族化合物半導体は移動度の高さから低電圧でオン電流を増大させることができる。またナノワイヤ(NW)構造は縦型サラウンディングゲート構造を形成でき、オフリーク電流を抑制することができる。NWの中でも、InP NWはウルツ鉱型単結晶構造を形成でき、ウルツ鉱特有の原子的に平坦な面をMOS界面に応用できる利点がある。
本報告では、InP NWによる縦型サラウンディングゲートトランジスタ特性へチャネル長が及ぼす影響について報告する。