[19a-PA4-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

[19a-PA4-4] Cat-CVDで形成した極薄窒化Si膜のトンネル導電性

〇WEN YULI¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：極薄SiNx膜、トンネル導電性、パッシベーション膜

Al/n-a-Si/n-c-Si/SiN_x/n-a-Si/Alの構造をもつ試料のI–V特性を調査することにより、Cat-CVDで形成した極薄SiN_x膜のトンネル導電性を評価した。SiN_x膜厚0.8 nmの試料全体の抵抗値は0.3 Ω•cm²程度であり、線形のI–V特性も得られていることから、トンネル導電性を有するパッシベーション膜としての利用が期待される。一方、SiN_x膜厚が3.2 nmになると、抵抗値が高く線形のI–V特性も得られないため、十分なトンネル導電性を有するとは言えない。