[19a-PB5-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [19a-PB5-4] ALE 法で意図的に N 分布を変化させたGaAsN 薄膜のアニール温度の電気特性への影響

〇峰松 遼¹、河野 将大¹、原口 智宏¹、鈴木 秀俊¹ (1.宮崎大学)

キーワード：GaAsN、ALE、ホール効果