[19p-C207-1~17] 11.4 アナログ応用および関連技術

[19p-C207-7] 集積化量子ビット用超伝導シリコン貫通電極(TSV)の開発

〇浮辺 雅宏¹、藤井 剛¹、牧瀬 圭正¹、渡辺 直也¹、菊地 克弥¹ (1.産総研)

キーワード：量子コンピュータ、量子ビット、超伝導TSV

量子ビットの2次元的集積の実現のため、平面上の量子ビットに垂直方向からのアクセスを可能とする超伝導シリコン貫通電極（スルーシリコンビア：TSV）の開発を行っている。TSV内壁に形成する超伝導膜には化学気相成長（CVD）で成膜可能なTiNを選択し、同TiN膜の垂直穴内部への被覆状況の原料（プリカーサ）、成膜時の基板温度、ガス圧力、プリカーサ解離用プラズマ源の放電条件等に対する依存性を評価した。