[19p-E313-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[19p-E313-1] 高濃度SiGeラマンスペクトルの局在振動モードを利用したGe濃度定量

〇横川 凌^1,2、竹内 悠希¹、吉岡 和俊¹、小椋 厚志¹ (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC)

キーワード：ラマン分光法、SiGe、局在振動モード

SiGeは高移動度かつ低熱伝導率を有し、次世代半導体および熱電デバイスへの応用に期待されている。これらのデバイスに適用するためには、温度や結晶性等の物性パラメータを最適化する必要があり、中でもGe濃度は格子定数や熱伝導率に直接起因するため高精度な評価が求められる。本研究ではラマン分光法で観測される局在振動モードに着目し、歪と独立して高濃度SiGe中におけるGe濃度を高精度に算出できるかを検討した。