[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-8] AlGaInN/AlGaNヘテロ構造の光電気化学エッチング(2)

〇小松 祐斗¹、渡久地 政周¹、斉藤 早紀²、三好 実人²、佐藤 威友¹ (1.北大量集センター、2.名工大)

キーワード：AlGaN/GaN、PECエッチング、リセスゲート

AlGaN/GaN-HFETのゲートリセス化は，閾値電圧の制御やノーマリーオフ動作の実現に有望な手法の１つである．我々は，光電気化学(PEC: Photo-electrochemical)反応を利用したAlGaNバリア層の精密エッチング法を開発し，本手法がAlGaInN/AlGaN-HFETのゲートリセス加工にも適用可能であることを示した．今回は，AlGaInNバリア層に対するPECエッチング深さ制御性と，その面内均一性について調査した。