[20a-E202-1~10] 12.1 作製・構造制御

[20a-E202-3] GISAXSによるペンタセン成膜中の表面形態評価（IV)

〇広沢 一郎¹、渡辺 剛¹、小金澤 智之¹、菊池 護²、吉本 則之² (1.JASRI、2.岩手大理工)

キーワード：有機薄膜、結晶成長、表面形態

Si基板上に成膜中のペンタセン薄膜の表面形態を微小角入射X線小角散乱（GISAXS)で評価する手法を開発した。GISAXSの試料面法線方向のプロファイルに注目することにより、通常のX線反射率測定では測定できない凹凸が激しい膜でも平均膜厚を推定することが可能になった。さらに、平均膜厚が約20 nmを超えると、表面形態の特徴はほぼ一定になることがわかった。