[20a-E301-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20a-E301-3] 様々な電極金属のn 型ホモエピタキシャルGaN SBD における障壁高さ温度係数の比較とそれに対する熱処理の効果

〇村瀬 亮介¹、前田 拓也²、鐘ヶ江 一孝^1,2、須田 淳^1,3、堀田 昌宏^1,3 (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来材料・システム研究所)

キーワード：ショットキーバリアダイオード、障壁高さ、窒化ガリウム

窒化ガリウム(GaN)は次世代電子デバイス材料として期待を集めており、各種の基礎データを整備することが重要である。中でも、障壁高さ(����_b)はショットキーバリアダイオード(SBD)の立ち上がり電圧や逆方向漏れ電流を決定する重要パラメーターである。これまで我々はNi およびAu 電極のSBD について、電気的特性から温度係数(d����_b/d��≡α )を詳細に評価し、どの試料においても・(1.7~2.4)×10^-4 eV/K とほぼ一定であることを報告した。本研究では、Pt およびPd 電極のSBD に対してαを評価し、さらにショットキー電極形成後の熱処理の有無によるαの違いについても調べたので報告する。