[20a-E302-1~13] 13.8 光物性・発光デバイス

[20a-E302-3] 電子ブロック層の最適化による250nm AlGaN UVC-LEDの出力改善

〇(M1)中村 励志^1,2、藤川 紗千恵³、前田 哲利¹、遠藤 聡²、藤代 博記²、平山 秀樹¹ (1.理化学研究所、2.東京理科大学、3.東京電気大学)

キーワード：半導体、電子ブロック層、AlGaN UVC-LED