[20a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-E310-10] InGaN/GaN屈折率導波路型フォトニック結晶デバイスに向けたHEATE法による高アスペクトナノホールアレイの作製

〇森谷 祐太¹、大江 優輝¹、川崎 祐生¹、伊藤 大智¹、阿部 洸希¹、木下 堅太郎¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大、2.上智大フォトニクスリサーチセンター)

キーワード：フォトニック結晶

フォトニック結晶（PhC）は光デバイスの高性能化・高機能化に有用なデバイス技術であり、近年ハニカム格子に配置した誘電体ロッドやホールにより光領域でのトポロジカルエッジ伝搬の理論予測や実験的検証も報告されている。窒化物半導体を用いた可視領域PhCの研究も行われており、本研究では可視光領域でのトポロジカル光伝搬現象の検証や高性能PhCデバイスの作製に向けたGaNナノ加工技術について報告する。