[20a-E311-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-E311-9] NO窒化後のCO₂熱処理によるSiC MOSFETの閾値電圧安定性向上

〇細井 卓治¹、大迫 桃恵¹、伊藤 滉二²、志村 考功¹、木本 恒暢²、渡部 平司¹ (1.阪大工、2.京大工)

キーワード：SiC、MOSFET、信頼性

NO窒化後にCO₂雰囲気中熱処理を行うにより、SiO₂/SiC界面の窒素量を制御し、SiC MOSFETのバイアス温度ストレスに対する閾値電圧安定性を高めることができることを示した。