[20a-F211-1~10] 31.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

△ [20a-F211-10] GaO_xを用いたクロスバーアレイメモリスタの開発と抵抗変化特性

〇(M1)上甲 守治¹、林 侑介¹、藤平 哲也¹、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工)

キーワード：メモリスタ、クロスバー、酸化ガリウム