12:00 〜 12:15 △ [20a-F211-10] GaOxを用いたクロスバーアレイメモリスタの開発と抵抗変化特性 〇(M1)上甲 守治1、林 侑介1、藤平 哲也1、酒井 朗1 (1.阪大院基礎工)