[20a-PA5-1~2] 8.3 プラズマナノテクノロジー

[20a-PA5-1] 斜入射スパッタリング法により形成される離散的柱状構造に対する基板凹凸の影響

〇本間 雅大¹、細谷 昌史¹、井上 泰志¹、高井 治² (1.千葉工大、2.関東学院大)

キーワード：斜入射スパッタリング法、離散的柱状構造、窒化インジウム

斜入射堆積法で自己遮蔽効果によって離散的柱状構造を形成することができる事が知られていて，もし初めから基板上に凹凸があった場合，自己遮蔽効果が成膜初期段階から確立するため空隙間隔などの形状因子を制御できることが期待される．そこで本研究では，凹凸を作製した基板上に，斜入射スパッタリング法を用いてInN薄膜を成膜し，離散的柱状構造に対する基板凹凸の影響を調査することを目的とする．