[20a-PB3-1~2] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[20a-PB3-1] セルオートマトン法によるHEMT の電子輸送シミュレーション

〇福田 浩一¹、服部 淳一¹、浅井 栄大¹、牧山 剛三²、小谷 淳二² (1.産総研、2.富士通研)

キーワード：半導体、高電子移動度トランジスタ、シミュレーション

セルオートマトン法をHEMTの二次元電子ガスの電子輸送計算に応用した。