2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)

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[20p-C309-1~10] 強誘電体材料の将来デバイスへの応用

2019年9月20日(金) 13:45 〜 18:00 C309 (C309)

小林 正治(東大)、齋藤 真澄(東芝メモリ)

14:15 〜 14:45

[20p-C309-2] 負性容量トランジスタの理解と今後の展望

小林 正治1,2 (1.東大VDEC、2.東大生研)

キーワード:負性容量、強誘電体

負性容量トランジスタは急峻なサブスレショルド特性により超低電圧動作を実現するトランジスタ技術として期待されている.提案から10年が経ち数々の実験データが出てきているが,未だ動作原理について完全な理解が得られていないのが現状である.本講演では,負性容量トランジスタの動作原理を明らかにするための私たちのこれまでの取り組みと,今後の展望について述べたい.