[20p-C309-1~10] 強誘電体材料の将来デバイスへの応用

[20p-C309-4] 強誘電体/半導体ヘテロ接合における界面ポテンシャル変化による負性容量とその時間発展シミュレーション

〇高田 賢志¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.大阪府大院工)

キーワード：負性容量、強誘電体