[20p-E310-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-E310-7] 高温OVPE法を用いた高品質GaN結晶の高速成長

〇(B)清水 歩¹、神山 将大²、石橋 桂樹²、津野 慎太郎²、北本 啓²、今西 正幸²、吉村 政志^2,3、秦 雅彦⁴、伊勢村 雅士⁵、森 勇介² (1.阪大工、2.阪大院工、3.阪大レーザー研、4.伊藤忠プラスチックス、5.創晶應心)

キーワード：OVPE、窒化ガリウム、結晶成長

我々が行っているOVPE法では、排気系を詰まらせる固体の副生成物が発生しないため、原理的に長時間での育成が期待できる。しかし現状では、100μm/h以上の高速成長条件において基板上の多結晶が厚膜化を阻害してしまうという問題がある。多結晶発生の原因として酸化物の生成が考えられているが、熱力学解析により成長温度を上げることで酸化物の生成が抑制されることが示唆されている。本研究では、1250℃の高温成長により酸化物由来の多結晶を抑制し100μm/h以上の高速成長条件でGaN基板の厚膜化について試みた。