[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-E311-3] 第一原理理論計算による4H-SiC(0-33-8)/SiO₂界面構造モデルの提案

〇松下 雄一郎¹、畠山 哲夫² (1.東工大、2.富山県立大)

キーワード：SiC、界面準位、界面

近年、NOアニール処理された4H-SiC(0-33-8)/SiO₂において高いキャリア移動度が報告され、注目を集めている。ところが、4H-SiC(0-33-8)/SiO₂界面が何故良いかに関しては依然未解明のままである。本研究では、4H-SiC(0-33-8)/SiO₂界面構造を密度汎関数理論に立脚した理論計算によって明らかにし、4H-SiC(0-33-8)/SiO₂界面特性の良さを界面構造の観点から明らかにした。