[20p-PB1-1~13] 6.5 表面物理・真空

[20p-PB1-5] InGaAsP系フォトカソードの量子効率に対する電子親和力の影響

〇(M2)出射 幹也¹、村田 文浩¹、山下 海人¹、七井 靖¹、黄 晋二¹、渕 真悟¹ (1.青学大)

キーワード：半導体、フォトカソード、NEA表面