[20p-PB3-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[20p-PB3-10] InAs/GaAs(001)ぬれ層表面における成長初期過程に関する理論的検討：c(4×4)表面における吸着・脱離の挙動

〇米本 和弘¹、秋山 亨¹、アブドルムィッツ プラディプト¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：量子ドット、表面再構成、InAs/GaAs(001)