[21a-B12-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

[21a-B12-2] n型フロントエミッター型結晶シリコン太陽電池モジュールの正バイアスPID試験と回復試験

〇鈴木 友康¹、山口 世力¹、中村 京太郎²、増田 淳³、大平 圭介¹ (1.北陸先端大、2.豊田工大、3.産総研)

キーワード：n型結晶シリコン太陽電池、電圧誘起劣化

n型フロントエミッター型(n-FE)結晶シリコンPVモジュールの正バイアス下でのPID挙動を調査した。負バイアス印加で発現する、SiN_xへの正電荷蓄積による短時間でのJ_sc、V_ocの低下が見られなかった。正バイアス下では蓄積電荷の極性は負であるため、パッシベーション性能をむしろ改善し、実験結果と矛盾しない。また、長時間PID試験での性能低下も見られず、負イオン侵入によるPIDが無いことが示唆される。