[21a-E301-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-E301-1] 窒素プラズマを用いた GaN 低ダメージエッチングの検討

〇三浦 克之¹ (1.東工大工)

キーワード：GaN