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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-E311-1~7] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2019年9月21日(土) 09:00 〜 10:45 E311 (E311)

原田俊太(名大)

09:30 〜 09:45

[21a-E311-3] AlN/Si(110)上SiCエピタキシャル成長におけるSiC低温バッファ層の効果

奈良友奎¹、〇葛西大希¹、中澤日出樹¹ (1.弘前大院理工)

キーワード：炭化ケイ素、窒化アルミニウム、レーザーアブレーション