葛西大希

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発表者・著者、共著者

2019年9月21日(土) 09:00 〜 10:45 E311 (E311)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-E311-1~7] 15.6 IV族系化合物（SiC）

09:30 〜 09:45

[21a-E311-3] AlN/Si(110)上SiCエピタキシャル成長におけるSiC低温バッファ層の効果

奈良友奎¹、〇葛西大希¹、中澤日出樹¹ (1.弘前大院理工)