[21a-E311-1~7] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-E311-7] 三フッ化塩素ガスによる4H-SiCウエハエッチング速度分布におけるガス流量の効果

〇入倉 健太¹、奥山 将吾¹、羽深 等¹、高橋 至直²、加藤 智久³ (1.横国大院工、2.関東電化工業、3.産総研)

キーワード：炭化ケイ素、エッチング

半導体炭化ケイ素(SiC)は、電力制御用半導体素子に利用されている。これまでの研究において、三フッ化塩素(ClF₃)ガスを用いて直径50 mmのSiCウエハ全体を素早くエッチングできる装置を作製し、検証してきた。本研究では総ガス流量を大きくすることにより、単結晶4H-SiCウエハ(C面)全体に亘るエッチング速度分布を平坦化することを試みた。