[21a-PA2-1~31] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-PA2-12] ミスト化学気相成長法によるCu₂Oエピタキシャル薄膜の合成

〇岡 大地¹、福村 知昭^1,2 (1.東北大理、2.東北大AIMR & CRC)

キーワード：p型半導体、エピタキシー、溶液プロセス

Cu₂Oは酸化物ベースの電子デバイスへの適用が期待されるp型半導体である。本研究ではミスト化学気相成長法によるCu₂Oエピタキシャル薄膜の合成について報告する。最適温度において、ビス(2,4-ペンタンジオナト)銅(II)の水溶液前駆体からイットリア安定化ジルコニア単結晶上に(110)-配向のエピタキシャル薄膜が得られた。これはCu₂Oの簡便な溶液プロセスによる絶縁基板上へのエピタキシャル合成の初めての報告であり、実用化の促進が期待される。