[21a-PA2-1~31] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-PA2-22] スパッタ成膜後のその場アニールによるglass基板上AlドープZnO薄膜の特性改善効果

〇諏訪 翁紀¹、中村 忠¹、沖村 邦雄¹ (1.東海大院工)

キーワード：透明導電膜、その場アニール、マグネトロンスパッタリング

AlドープZnO薄膜(AZO)は, 低い抵抗率及び可視光領域における80%程の光透過率を有することから透明導電膜の代替材料として期待されているが, マグネトロンスパッタ成膜時における電気的特性の径方向不均一性が問題になっている. そこで本研究では, そこで本研究では, RFマグネトロンスパッタ法を用いてglass基板上にAZO薄膜を堆積させ, その後, スパッタ成膜装置内でその場アニールを行い, アニールの有無について電気的特性及び結晶構造を比較し, 検討を行なった.