[21a-PA2-1~31] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-PA2-31] 電気二重層をゲートとしたInGaZnOトランジスタ用のアモルファス固体電解質膜の作製と評価

〇藤本 康平¹、浅野 哲也¹、藤井 茉美¹、Juan Paolo Bermundo¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹、足立 秀明¹ (1.奈良先端大)

キーワード：IGZO、半導体