[21a-PA2-1~31] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-PA2-6] YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の組成制御と電気・磁気・光学特性におよぼす影響

〇(M2)田中 淳平¹、三浦 光平¹、桐谷 乃輔¹、吉村 武¹、芦田 淳¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大工)

キーワード：強相関電子系、RFe2O4、パルスレーザー堆積法

RFe₂O₄(R:希土類元素)は、結晶内に同数のFe²⁺とFe³⁺が三角格子状に存在しているため電荷のフラストレーションが生じ、電子密度に極性を有する電子強誘電体である 。加えて、~250K以下でフェリ磁性と強誘電性が共存することや、赤外域における高い光吸収係数を有し、基礎・応用両面から注目されている。しかし、YbFe₂O₄はFeイオンの欠損を許容しやすいことから、単層の単結晶試料であるにもかかわらず20%程度もFe欠損した結晶が形成すると報告されている。本発表では、化学量論組成近傍のエピタキシャル薄膜作製法について議論する。