[21p-C309-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

[21p-C309-2] ハード系PZT(111)単結晶薄膜の圧電特性

〇小西 晃雄¹、茂内 健和¹、谷 幸範¹、木島 健¹ (1.KRYSTAL（株）)

キーワード：強誘電体

我々はSi(111)基板直上に蒸着50nm-ZrO₂をバッファ層に用い、更に150nm-Pt電極薄膜をRFスパッタ法で形成し、更にハード系PZT(Zr/Ti=30/70)を厚さ1um成長させたところ高品質なPZT(111)薄膜を得た。得られたPZT薄膜の極点評価を行ったところ､六回対称性を示しており、通常の自然配向膜と異なり面内にも強い配向性を示していた。