2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[21p-E216-1~6] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

2019年9月21日(土) 13:15 〜 14:45 E216 (E216)

後藤 穣(阪大)

13:15 〜 13:30

[21p-E216-1] Phase diagram of spin torque oscillator consisting of two free layers

Tomohiro Taniguchi1 (1.AIST)

キーワード:Spin torque oscillator

Microwave assisted magnetization reversal (MAMR) is a new scheme to achieve high-density magnetic recording. Spin torque oscillator (STO) is expected to be an attractive cadidate as a microwave source for MAMR. In this work, we perform numerical simulations of magnetization dynamics in an STO with two free layer, and find severnal dyanmical phases such as synchronization and chaos.