[21p-E310-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21p-E310-7] 硬X線光電子分光法による金属/GaN界面のバンド構造評価

〇水島 啓貴¹、新井 龍志¹、稲葉 雄大¹、山下 俊介¹、山口 雄大¹、蟹谷 裕也¹、工藤 喜弘¹、濱口 達史¹、幸田 倫太郎¹、簗嶋 克典¹、冨谷 茂隆¹ (1.ソニー株式会社)

キーワード：硬X線光電子分光法、窒化ガリウム、エネルギーバンド構造

金属/GaN界面のコンタクト抵抗の起源となるバンド構造を明らかにするために、硬X線光電子分光による界面バンド構造を定量化する手法を構築した。Mg低濃度ドープのGaNでは、従来の単純モデルでは説明できない実験結果が得られたが、界面層の存在を仮定した2層モデルにより、実験結果を再現可能なバンド構造の抽出に成功した。