13:30 〜 15:30 [11p-PB3-10] 様々なp型GaNゲート構造をドライエッチングで形成したAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの特性 〇近藤 孝明1、赤澤 良彦1、岩田 直高1 (1.豊田工大)