13:30 〜 13:45 [9p-M114-2] 多結晶SiとアモルファスSi基板へのホットC+イオン注入法によるSiCナノドットの形成(Ⅱ):C+ドーズ依存性 〇金澤 力斗1、青木 孝1、鮫島 俊之2、水野 智久1 (1.神奈川大学理、2.東京農工大工)