13:30 〜 15:30 △ [11p-PB3-13] 縦型AlGaN/GaNトレンチMOS-HEMTのDC特性: p-GaN層Mg添加量の効果 〇(M2)金谷 彗杜1、米田 直史1、山本 暠勇1、葛原 正明1 (1.福井大院工)