一般セッション(口頭講演)
[10a-W834-1~11] 3.5 レーザー装置・材料
2019年3月10日(日) 09:00 〜 12:15 W834 (W834)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:00 〜 09:30
〇鄭 宇進1 (1.浜松ホトニクス)
09:30 〜 09:45
〇(M2)Hejie Yan1,2、 Gao Yuan1,2、 Jui-Hung Hung2、 Kazuo Sato2、 Hirohito Yamada2,1、 Hiroyuki Yokoyama1,2 (1.Tohoku univ.、2.NICHe, Tohoku univ.)
09:45 〜 10:00
〇Yuan Gao1、 Jui-Hung Hung2、 He-Jie Yan1、 Kazuo Sato2、 Hirohito Yamada1,2、 Hiroyuki Yokoyama1,2 (1.Tohoku Univ.、2.NICHe,Tohoku Univ.)
10:00 〜 10:15
〇土橋 一磨1、 星 正幸1、 今井 浩一1、 廣橋 淳二1、 牧尾 諭1 (1.オキサイド)
10:15 〜 10:30
〇(D)Zheyuan Zhang1、 Yuanjun Zhu1、 Pengtao Yuan1、 Hongbo Jiang1、 Zihao Zhao1、 Fulin Xiang1、 Lei Jin1、 Sze Yun Set1、 Shinji Yamashita1 (1.Tokyo Univ.)
10:45 〜 11:00
〇戸倉川 正樹1、 相楽 啓1 (1.電通大、レーザー研)
11:00 〜 11:15
〇渡邉 建太1、 周 英2、 斎藤 毅2、 榊原 陽一2、 西澤 典彦1 (1.名大院工、2.産総研)
11:15 〜 11:30
〇梶川 詠司1、 石井 知広1、 久保 貴志1、 武者 満1、 小川 和彦2 (1.電通大レーザー研、2.ファイバーラボ)
11:30 〜 11:45
〇菅 颯人1、 山中 真仁1、 西澤 典彦1 (1.名大院工)
11:45 〜 12:00
〇合谷 賢治1、 上原 日和1、 小西 大介2、 村上 政直2、 時田 茂樹1 (1.阪大レーザー研、2.三星ダイヤモンド工業(株))
12:00 〜 12:15
〇上原 日和1、 合谷 賢治1、 時田 茂樹1、 韓 冰羽1、 Andrey Pushkin2、 Migal Ekaterina2、 Fedor Potemkin2 (1.阪大レーザー研、2.モスクワ大)