[10a-M114-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [10a-M114-1] 固相成長した高移動度Ge薄膜のTFT動作実証

〇今城 利文¹、茂藤 健太¹、山本 圭介²、末益 崇¹、中島 寛³、都甲 薫¹ (1.筑波大院 数理物質、2.九大院 総合理工、3.九大 GIC)

キーワード：TFT、Ge