[10a-W934-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10a-W934-11] 化学的転写法による固定砥粒多結晶シリコンの低反射化と界面準位密度の低減

〇(D)國枝 省吾^1,2、今村 健太郎^1,2、小林 光^1,2 (1.阪大産研、2.CREST-JST)

キーワード：半導体、界面準位密度

近年普及しつつある安価な固定砥粒法により切断される多結晶シリコンウェーハは、表面に導入されるダメージ層が浅く、ダメージを起点として進行する酸ダメージエッチングにより低反射化することができない。本研究室で開発した化学的転写法とアルカリエッチングを用い、窒化膜でパッシベーションすることで、固定砥粒多結晶シリコンウェーハの低反射化と低界面準位密度による高キャリアライフタイム化を両立する事ができた。