2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年3月10日(日) 13:30 〜 19:00 W541 (W541)

岩谷 素顕(名城大)、本田 善央(名大)、新田 州吾(名大)

17:45 〜 18:00

[10p-W541-16] 第一原理分子動力学法による2次元GaNの新規構造探索

屋山 巴1、Lu Anh Khoa Augustin2、森下 徹也1,2、中西 毅1,2 (1.産総研、CD-FMat、2.産総研、MathAM-OIL)

キーワード:層状物質、第一原理分子動力学

2次元物質はバルク物質とは異なる性質を示すことから近年注目を集めている。特に、ダングリングボンドを持つ2次元物質は環境に応じて種々の構造を示すことが知られており、複雑化する2次元物質の構造と特性の関わりを正しく理解することが必要である。本研究ではIII族窒化物の2次元2層シート構造に着目し、第一原理分子動力学手法を用いて有限温度下での安定構造を探索し、さらに得られた種々の構造について電子状態の解析を行った。