[11a-PA5-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[11a-PA5-4] c-C₄F₈/SiF₄混合凝縮層の電子励起によるa-C:Fの低温合成と物性評価c-C₄F₈/SiF₄混合凝縮層の電子励起によるa-C:Fの低温合成と物性評価

〇(M1)三谷 隼弘¹、佐藤 哲也¹、塩澤 佑一朗²、上垣 良信² (1.山梨大・院、2.山梨県産技セ)

キーワード：プラズマ、フッ素樹脂、低温

我々は、種々のフッ素含有温室効果ガス（F-GHG）の分子氷（凝縮固体薄膜）に希ガスの直流放電で生成した低速電子線および準安定励起種を照射することにより、フッ素含有アモルファスカーボン膜（a-C:F）、アモルファスシリコン膜（a-Si:F）を極低温で合成し物性を明らかにしてきた。今回、a-C:Fの均一性や緻密性を高めることを目的としSi添加による表面形状変化を調査するため、c-C₄F₈原料ガスにSiF₄を混合して成膜を試みた。