The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11p-PB3-1~27] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Mon. Mar 11, 2019 1:30 PM - 3:30 PM PB3 (PB)

1:30 PM - 3:30 PM

[11p-PB3-11] Effects of forming gas annealing on electrical properties of Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs

〇(M1)Keita Furuoka1, Toshiharu Kubo1, Takashi Egawa1 (1.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:GaN, MIS-HEMT, ALD

我々は、白金族金属であるPtをゲート金属に用いてFGアニールを行い、MIS-HEMTのΔVthとIgの両方を低減できる条件を見出すことを目的とし、Pt/ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの評価を行った。ALD-Al2O3の膜厚40 nmではFG-PMAの効果が見られ、Igはゲート電圧を8 Vまで印加すると4.4×10-4 mA/mmまで増加してしまうが、⊿Vthは0.2 Vまで低減された。